透射電鏡TEM數(shù)據(jù)分析

高分辨電子顯微術(shù)(HREM 或HRTEM)是一種基于相位襯度原理的成像技術(shù),。入射電子束穿過很薄的晶體試樣，被散射的電子在物鏡的背焦面處形成攜帶晶體結(jié)構(gòu)的衍射花樣,，隨后衍射花樣中的透射束和衍射束的干涉在物鏡的像平面處重建晶體點陣的像,。

從形貌觀察（TEM）、原位的電子衍射分析（Diff）,，發(fā)展到還可以進行原位的成分分析（能譜儀EDS,、特征能量損失譜EELS）、表面形貌觀察（二次電子像SED,、背散射電子像BED）和透射掃描像（STEM）,。TEM數(shù)據(jù)分析可以得到樣品的粒徑大小、粒徑統(tǒng)計,、晶體結(jié)構(gòu)及晶粒尺寸,、晶相組成、原子排序,。

常用軟件：Digital Micrograph(DM),，ImageJ，Image-Pro Plus(IPP),，simple-PCI,，nanomeasure

注意：

1. 離子束減薄，很可能引入Ar,。

2.  FIB制樣,，很可能引入Pt,、Ga。

3.  樣品的減薄與保存都有可能氧化,。

4.  點解雙噴溶液可能引入對應(yīng)的元素,。如高氯酸溶液引入Cl。

5.  超薄切片形成的新鮮切面很容易在大氣中被腐蝕,，甚至嚴重改變樣品的缺陷結(jié)構(gòu),。

6.  測試時使用Cu網(wǎng)、Mo網(wǎng)也有可能引入Cu,、Mo,。

     7.  請把數(shù)據(jù)信息文檔上傳：包括樣品數(shù)量、編號,、樣品測試數(shù)據(jù),；樣品及數(shù)據(jù)描述；實驗目的,；手頭有的參考文獻等,。請與工程師充分交流溝通。

         數(shù)據(jù)處理周期3-10天,。